Ученые из института SAIT (Samsung Advanced Institute of Technology) создали материал – аморфный нитрид бора (a-BN) – для производства карт памяти нового поколения.
Команда SAIT работала совместно с учеными Кембриджского университета и Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST). Разработчики материала полагают, что он поможет в производстве полупроводниковых материалов нового поколения.
А-BN состоит из атомов азота и бора с получаемой на основе белого графена аморфной молекулярной структурой. Такое строение обеспечивает материалу лучшую среди всех материалов подобного класса сверхнизкую диэлектрическую проницаемость.
Благодаря уникальным свойствам новый материал может применяться в полупроводниковой промышленности в качестве высокоэффективного изолятора. Исследователи Samsung показали, что разработку можно выращивать при температуре в 400°C на подложке.
Эксперты полагают, что аморфный нитрид бора найдет широкое применение при производстве карт памяти DRAM и NAND и памяти следующего поколения для серверных станций.
Ранее МедиаПоток писал, что пользователь Twitter под ником Ice Universe выложил картинку, которая «убивает» смартфоны Samsung после того, как ее поставить на заставку.
