Широкозонный полупроводник с «дырочной» проводимостью на основе оксида галия создали в НИТУ «МИСиС»

Ученым из Университета МИСИС удалось получить двумерный дырочный газ на широкозонном полупроводнике ­из к-оксида галия. Подобное никто еще не делал, сообщает ТАСС.

Ученым из Университета МИСИС удалось получить двумерный дырочный газ на широкозонном полупроводнике ­из к-оксида галия. Подобное никто еще не делал, сообщает ТАСС.

Полупроводниковая промышленность использовала кремний, однако сейчас требуются труднее материалы с более широкой запрещенной зоной. Чем больше ширина запрещённой зоны, тем выше напряжение можно приложить к элементу. Кроме того, эта характеристика позволяет уменьшить сопротивление и увеличить рабочую температуру.

- Advertisement -

Специалисты вырастили оксид галлия, он же κ-Ga2O3, на подложке нитрида алюминия. Далее они занялись изучением электрических свойств материала. Оказалось, что на границе между κ-Ga2O3 и нитридом алюминия образуется дырочная проводимость, что удалось получить впервые, используя κ-оксид галия.

κ-Ga2O3 пока рано еще называть основой полупроводниковой промышленности, так как ученым необходимо провести еще множество экспериментов и тестов нового материала.

Ранее МедиаПоток писал, что инженеры Швейцарии создали робота, умеющего садиться на ветки как птица.