Ученым из Университета МИСИС удалось получить двумерный дырочный газ на широкозонном полупроводнике из к-оксида галия. Подобное никто еще не делал, сообщает ТАСС.
Полупроводниковая промышленность использовала кремний, однако сейчас требуются труднее материалы с более широкой запрещенной зоной. Чем больше ширина запрещённой зоны, тем выше напряжение можно приложить к элементу. Кроме того, эта характеристика позволяет уменьшить сопротивление и увеличить рабочую температуру.
Специалисты вырастили оксид галлия, он же κ-Ga2O3, на подложке нитрида алюминия. Далее они занялись изучением электрических свойств материала. Оказалось, что на границе между κ-Ga2O3 и нитридом алюминия образуется дырочная проводимость, что удалось получить впервые, используя κ-оксид галия.
κ-Ga2O3 пока рано еще называть основой полупроводниковой промышленности, так как ученым необходимо провести еще множество экспериментов и тестов нового материала.
Ранее МедиаПоток писал, что инженеры Швейцарии создали робота, умеющего садиться на ветки как птица.
