Nanowerk: полислойность поможет снизить энергозатраты в транзисторах будущего

Американские ученые из Калифорнийского университета в Беркли создали многослойный материал, которые значительно снижает напряжение, нужное для работы современных транзисторов.

Американские ученые из Калифорнийского университета в Беркли создали многослойный материал, которые значительно снижает напряжение, нужное для работы современных транзисторов.

Современные тенденции диктуют миру более суровые электрические требования, поэтому науке в ближайшем будущем предстоит приложить немало усилий для сокращения энергозатратной изобретений. Одним из решений проблемы ученые считают создание многослойных материалов, которые позволят снижать напряжение.

Явление отрицательной емкости позволит хорошо вписаться в современные полупроводниковые протоколы и избежать излишнего потребления энергии. Секрет нового изобретения кроется в замене оксида гафния на многослойный пакет.

Таким образом, получилась структуру из трех атомных слоев оксида циркония, которая оказалась зажатая между двумя отдельными слоями оксида гафния. Это помогло получить энергетический эффект, при котором появилась нужная отрицательная емкость.

Ранее МедиаПоток писал, что ученые получили атомы в 3 млрд раз холоднее космоса.

Источник Discover24