Ученые из РФ и КНР разрабатывают технологию для создания электроники нового поколения

Ученые из Дальневосточного федерального университета совместно с коллегами из Китайской академии наук создают прототип первого элемента магнитной памяти, который позволит создать электронику нового типа, сообщает RT.

Ученые из РФ и КНР разрабатывают технологию для создания электроники нового поколения

Ученые из Дальневосточного федерального университета совместно с коллегами из Китайской академии наук создают прототип первого элемента магнитной памяти, который позволит создать электронику нового типа, сообщает RT.

Ученые рассказали, что в основе их разработке лежит новая область в физике – спин-орбитроника. Новая технология позволит создавать более эффективную память для смартфонов и компьютеров, которые смогут неделями работать без подзарядки.

- Advertisement -

В будущем такая новинка сможет полностью заменить полупроводниковую электронику. Уникальностью спин-орбитроники являются магнитные свойства элеткрона, то есть его спин — параметры наклона и вращения частиц в присутствии магнитного поля.

«Спин-орбитроника базируется на принципиально другом подходе. Устройства спин-орбитроники также могут хранить и обрабатывать информацию, но без физического переноса заряженных частиц», — рассказывает один из авторов исследования, проректор по научной работе ДВФУ Александр Самардак.

Ученые рассказали, что новые системы будут работать быстрее и надежнее, чем нынешнии носители информации. Кроме того, они откроют новые горизонты для реализации аппаратных систем нейросети и квантовых компьютеров.

Ранее МедиаПоток писал, что в России создают новый аппарат для квантовых вычислений.