Samsung создала прототип 3-нм полупроводников GAAFET

Phones.ru

Сеул, 5 января. У южнокорейской компании Samsung готовы первые в мире трехнанометровые транзисторы GAAFET.

Разработчики отметили, что транзистор поможет снизить размер кристалла на 35 процентов, если сравнить с FinFET 5 нм. Кроме того, с помощью нового изобретения можно уменьшить энергопотребление на 50 процентов или повысить производительность на 33 процента.

По словам специалистов, переход на нормы 3 нм стал возможным благодаря технологии Gate All Around (GAAFET), которая заменит используемую в настоящее время технологию FinFET.

Отличие GAAFET заключается в том, что канал окружен затвором не с трёх сторон, а с четырёх, за счет этого снижается утечка и улучшается управление каналом, пишет iXBT.com.

ixbt.com

Также МедиаПоток рассказывал, что японские специалисты разработали нейроморфную сеть, которая состоит из многочисленных металлических нанопроволок. Данная сеть может запоминать и забывать информацию, а также переходить из состояния спокойствия к бдительности.